Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
Нумар дэталі вытворцы: | BSM400D12P2G003 |
Вытворца: | ROHM Semiconductor |
Частка апісання: | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
Табліцы дадзеных: | BSM400D12P2G003 Табліцы дадзеных |
Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
Стан акцый: | У наяўнасці |
Адпраўка з: | Hong Kong |
Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Тып | Апісанне |
---|---|
Серыя | - |
Пакет | Bulk |
Статус часткі | Active |
Тып FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Функцыя FET | Silicon Carbide (SiC) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C | 400A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 4V @ 85mA |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 38000pF @ 10V |
Магутнасць - Макс | 2450W (Tc) |
Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тып мацавання | - |
Пакет / чахол | Module |
Пакет прылад пастаўшчыка | Module |
Статус акцый: 4
Мінімальны: 1
Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
---|---|---|
![]() Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна