ROHM Semiconductor / BSM300D12P3E005
Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
BSM300D12P3E005
| Нумар дэталі вытворцы: | BSM300D12P3E005 |
| Вытворца: | ROHM Semiconductor |
| Частка апісання: | SILICON CARBIDE POWER MODULE. B |
| Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
| Стан акцый: | У наяўнасці |
| Адпраўка з: | Hong Kong |
| Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАЎВАГА
- ROHM Semiconductor BSM300D12P3E005 даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.
Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.
Спецыфікацыя
| Тып | Апісанне |
|---|---|
| Серыя | - |
| Пакет | Bulk |
| Статус часткі | Active |
| Тып FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Функцыя FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C | 300A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 5.6V @ 91mA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 14000pF @ 10V |
| Магутнасць - Макс | 1260W (Tc) |
| Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Chassis Mount |
| Пакет / чахол | Module |
| Пакет прылад пастаўшчыка | Module |
Статус акцый: 9
Мінімальны: 1
| Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
|---|---|---|
Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
||
Разлік фрахту
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна
Папулярныя мадэлі
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
Дададзены ў кошык!
Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.