IRFHE4250DTRPBF

Нумар дэталі вытворцы:	IRFHE4250DTRPBF
Вытворца:	Rochester Electronics
Частка апісання:	HEXFET POWER MOSFET
Табліцы дадзеных:	IRFHE4250DTRPBF Табліцы дадзеных
Статус без свінцу / Статус RoHS:	Без свінцу / сумяшчальны з RoHS
Стан акцый:	У наяўнасці
Адпраўка з:	Hong Kong
Шлях дастаўкі:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАЎВАГА: Rochester Electronics IRFHE4250DTRPBF даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.

Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.

package

Спецыфікацыя

Тып	Апісанне
Серыя	HEXFET®
Пакет	Bulk
Статус часткі	Active
Тып FET	2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET	Standard
Адток да крыніцы напружання (Vdss)	25V
Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C	86A (Tc), 303A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.75mOhm @ 27A, 10V, 900µOhm @ 27A, 10V
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар	2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs	20nC, 53nC @ 4.5V
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds	1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Магутнасць - Макс	156W (Tc)
Працоўная тэмпература	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мацавання	Surface Mount
Пакет / чахол	32-PowerVFQFN
Пакет прылад пастаўшчыка	32-PQFN (6x6)

ВАРЫЯНТЫ КУПАЛЬНЯ

Статус акцый: 9000

Мінімальны: 1

Колькасць	Цана за адзінку	Доп. Кошт
Цана недаступная, калі ласка, запытайце

Разлік фрахту

40 долараў ЗША ад FedEx.

Прыходзяць праз 3-5 дзён

Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна

Папулярныя мадэлі

	IRFH4255DTRPBF IR (Infineon Technologies)
	IRFHE4250DTRPBF Rochester Electronics
	IRFH4251DTRPBF Rochester Electronics
	IRFHS9351TRPBF IR (Infineon Technologies)
	IRFH4253DTRPBF IR (Infineon Technologies)
	IRFH4257DTRPBF Rochester Electronics
	IRFH7911TRPBF IR (Infineon Technologies)

Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.