Vishay General Semiconductor – Diodes Division / VB30100C-E3/8W
Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
VB30100C-E3/8W
| Нумар дэталі вытворцы: | VB30100C-E3/8W |
| Вытворца: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Частка апісання: | DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263 |
| Табліцы дадзеных: | VB30100C-E3/8W Табліцы дадзеных |
| Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
| Стан акцый: | У наяўнасці |
| Адпраўка з: | Hong Kong |
| Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАЎВАГА
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division VB30100C-E3/8W даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.
| Тып | Апісанне |
|---|---|
| Серыя | TMBS® |
| Пакет | Tape & Reel (TR) |
| Статус часткі | Active |
| Канфігурацыя дыёда | 1 Pair Common Cathode |
| Дыёдны тып | Schottky |
| Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.) | 100 V |
| Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд) | 15A |
| Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі | 800 mV @ 15 A |
| Хуткасць | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Зваротны час аднаўлення (trr) | - |
| Ток - зваротная ўцечка @ Vr | 500 µA @ 100 V |
| Працоўная тэмпература - стык | -40°C ~ 150°C |
| Тып мацавання | Surface Mount |
| Пакет / чахол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Пакет прылад пастаўшчыка | TO-263AB |
Статус акцый: Дастаўка ў той жа дзень
Мінімальны: 1
| Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
|---|---|---|
Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
||
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |