Vishay General Semiconductor – Diodes Division / 1N6484HE3/97
Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
1N6484HE3/97
| Нумар дэталі вытворцы: | 1N6484HE3/97 |
| Вытворца: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Частка апісання: | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB |
| Табліцы дадзеных: | 1N6484HE3/97 Табліцы дадзеных |
| Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
| Стан акцый: | У наяўнасці |
| Адпраўка з: | Hong Kong |
| Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАЎВАГА
- Vishay General Semiconductor – Diodes Division 1N6484HE3/97 даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.
| Тып | Апісанне |
|---|---|
| Серыя | SUPERECTIFIER® |
| Пакет | Tape & Reel (TR) |
| Статус часткі | Active |
| Дыёдны тып | Standard |
| Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.) | 1000 V |
| Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) | 1A |
| Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі | 1.1 V @ 1 A |
| Хуткасць | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Зваротны час аднаўлення (trr) | - |
| Ток - зваротная ўцечка @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
| Ёмістасць @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Тып мацавання | Surface Mount |
| Пакет / чахол | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Пакет прылад пастаўшчыка | DO-213AB |
| Працоўная тэмпература - стык | -65°C ~ 175°C |
Статус акцый: Дастаўка ў той жа дзень
Мінімальны: 1
| Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
|---|---|---|
Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
||
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Solid State Inc. |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
 |
Roving Networks / Microchip Technology |
 |
Vishay General Semiconductor – Diodes Division |