ROHM Semiconductor / RFV12TG6SGC9
Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
RFV12TG6SGC9
| Нумар дэталі вытворцы: | RFV12TG6SGC9 |
| Вытворца: | ROHM Semiconductor |
| Частка апісання: | DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC |
| Табліцы дадзеных: | RFV12TG6SGC9 Табліцы дадзеных |
| Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
| Стан акцый: | У наяўнасці |
| Адпраўка з: | Hong Kong |
| Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАЎВАГА
- ROHM Semiconductor RFV12TG6SGC9 даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.
Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.
Спецыфікацыя
| Тып | Апісанне |
|---|---|
| Серыя | - |
| Пакет | Tube |
| Статус часткі | Active |
| Дыёдны тып | Standard |
| Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.) | 600 V |
| Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) | 12A |
| Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі | 2.8 V @ 12 A |
| Хуткасць | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Зваротны час аднаўлення (trr) | 45 ns |
| Ток - зваротная ўцечка @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Ёмістасць @ Vr, F | - |
| Тып мацавання | Through Hole |
| Пакет / чахол | TO-220-2 |
| Пакет прылад пастаўшчыка | TO-220ACFP |
| Працоўная тэмпература - стык | 150°C (Max) |
Статус акцый: 983
Мінімальны: 1
| Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
|---|---|---|
Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
||
Разлік фрахту
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна
Папулярныя мадэлі
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
 |
ROHM Semiconductor |
Дададзены ў кошык!
Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.