Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
Нумар дэталі вытворцы: | SISH108DN-T1-GE3 |
Вытворца: | Vishay / Siliconix |
Частка апісання: | MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH |
Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
Стан акцый: | У наяўнасці |
Адпраўка з: | Hong Kong |
Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Тып | Апісанне |
---|---|
Серыя | TrenchFET® Gen II |
Пакет | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Статус часткі | Active |
Тып FET | N-Channel |
Тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 20 V |
Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C | 14A (Ta) |
Напружанне прывада | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 2V @ 250µA |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
Vgs (макс.) | ±16V |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
Функцыя FET | - |
Рассейванне магутнасці (макс.) | 1.5W (Ta) |
Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тып мацавання | Surface Mount |
Пакет прылад пастаўшчыка | PowerPAK® 1212-8SH |
Пакет / чахол | PowerPAK® 1212-8SH |
Статус акцый: 6000
Мінімальны: 1
Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
---|---|---|
![]() Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна