Rectron USA / RM4N650TI
Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
RM4N650TI
| Нумар дэталі вытворцы: | RM4N650TI |
| Вытворца: | Rectron USA |
| Частка апісання: | MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO220F |
| Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
| Стан акцый: | У наяўнасці |
| Адпраўка з: | Hong Kong |
| Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАЎВАГА
- Rectron USA RM4N650TI даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.
Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.
Спецыфікацыя
| Тып | Апісанне |
|---|---|
| Серыя | - |
| Пакет | Tube |
| Статус часткі | Active |
| Тып FET | N-Channel |
| Тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 650 V |
| Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C | 4A (Tc) |
| Напружанне прывада | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 3.5V @ 250µA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | - |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 280 pF @ 50 V |
| Функцыя FET | - |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 28.5W (Tc) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Through Hole |
| Пакет прылад пастаўшчыка | TO-220F |
| Пакет / чахол | TO-220-3 Full Pack |
Статус акцый: Дастаўка ў той жа дзень
Мінімальны: 1
| Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
|---|---|---|
Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
||
Разлік фрахту
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна
Дададзены ў кошык!
Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.