SIHB22N60E-GE3

Нумар дэталі вытворцы:	SIHB22N60E-GE3
Вытворца:	Vishay / Siliconix
Частка апісання:	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Табліцы дадзеных:	SIHB22N60E-GE3 Табліцы дадзеных
Статус без свінцу / Статус RoHS:	Без свінцу / сумяшчальны з RoHS
Стан акцый:	У наяўнасці
Адпраўка з:	Hong Kong
Шлях дастаўкі:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАЎВАГА: Vishay / Siliconix SIHB22N60E-GE3 даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.

Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.

package

Спецыфікацыя

Тып	Апісанне
Серыя	-
Пакет	Tube
Статус часткі	Active
Тып FET	N-Channel
Тэхналогія	MOSFET (Metal Oxide)
Адток да крыніцы напружання (Vdss)	600 V
Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C	21A (Tc)
Напружанне прывада	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 11A, 10V
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар	4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±30V
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds	1920 pF @ 100 V
Функцыя FET	-
Рассейванне магутнасці (макс.)	227W (Tc)
Працоўная тэмпература	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мацавання	Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка	D2PAK
Пакет / чахол	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ВАРЫЯНТЫ КУПАЛЬНЯ

Статус акцый: 6835

Мінімальны: 1

Колькасць	Цана за адзінку	Доп. Кошт
Цана недаступная, калі ласка, запытайце

Разлік фрахту

40 долараў ЗША ад FedEx.

Прыходзяць праз 3-5 дзён

Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна

Папулярныя мадэлі

Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.