RQ3E120BNTB

Нумар дэталі вытворцы:	RQ3E120BNTB
Вытворца:	ROHM Semiconductor
Частка апісання:	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Табліцы дадзеных:	RQ3E120BNTB Табліцы дадзеных
Статус без свінцу / Статус RoHS:	Без свінцу / сумяшчальны з RoHS
Стан акцый:	У наяўнасці
Адпраўка з:	Hong Kong
Шлях дастаўкі:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ЗАЎВАГА: ROHM Semiconductor RQ3E120BNTB даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.

Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.

package

Спецыфікацыя

Тып	Апісанне
Серыя	-
Пакет	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Статус часткі	Active
Тып FET	N-Channel
Тэхналогія	MOSFET (Metal Oxide)
Адток да крыніцы напружання (Vdss)	30 V
Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C	12A (Ta)
Напружанне прывада	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар	2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (макс.)	±20V
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Функцыя FET	-
Рассейванне магутнасці (макс.)	2W (Ta)
Працоўная тэмпература	150°C (TJ)
Тып мацавання	Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка	8-HSMT (3.2x3)
Пакет / чахол	8-PowerVDFN

ВАРЫЯНТЫ КУПАЛЬНЯ

Статус акцый: 70

Мінімальны: 1

Колькасць	Цана за адзінку	Доп. Кошт
Цана недаступная, калі ласка, запытайце

Разлік фрахту

40 долараў ЗША ад FedEx.

Прыходзяць праз 3-5 дзён

Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна

Папулярныя мадэлі

Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.