Microsemi / 2N6849
Выява для даведкі, калі ласка, звяжыцеся з намі, каб атрымаць рэальную карціну
2N6849
| Нумар дэталі вытворцы: | 2N6849 |
| Вытворца: | Microsemi |
| Частка апісання: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| Табліцы дадзеных: | 2N6849 Табліцы дадзеных |
| Статус без свінцу / Статус RoHS: | Без свінцу / сумяшчальны з RoHS |
| Стан акцый: | У наяўнасці |
| Адпраўка з: | Hong Kong |
| Шлях дастаўкі: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ЗАЎВАГА
- Microsemi 2N6849 даступны на сайце chipnets.com. Мы прадаем толькі новыя і арыгінальныя дэталі і прапануем 1 год гарантыі. Калі вы хочаце даведацца больш аб прадуктах або прымяніць больш выгадную цану, калі ласка, звяжыцеся з намі, націсніце онлайн-чат або адпраўце нам прапанову.
Усе кампаненты Eelctronics будуць вельмі бяспечна спакаваныя з дапамогай антыстатычнай абароны ад ESD.
Спецыфікацыя
| Тып | Апісанне |
|---|---|
| Серыя | - |
| Пакет | Bulk |
| Статус часткі | Obsolete |
| Тып FET | P-Channel |
| Тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 100 V |
| Ток - бесперапынны сток (Id) пры 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Напружанне прывада | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 4V @ 250µA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | - |
| Функцыя FET | - |
| Рассейванне магутнасці (макс.) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Працоўная тэмпература | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Through Hole |
| Пакет прылад пастаўшчыка | TO-39 |
| Пакет / чахол | TO-205AF Metal Can |
Статус акцый: Дастаўка ў той жа дзень
Мінімальны: 1
| Колькасць | Цана за адзінку | Доп. Кошт |
|---|---|---|
Цана недаступная, калі ласка, запытайце |
||
Разлік фрахту
40 долараў ЗША ад FedEx.
Прыходзяць праз 3-5 дзён
Экспрэс: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Бясплатная дастаўка першых 0,5 кг для заказаў на суму больш за 150 $, залішняя вага аплачваецца асобна
Дададзены ў кошык!
Гэты тавар быў дададзены ў ваш кошык.